买卖IC网 >> 产品目录 >> HN7G01FU-A(T5L,F,T 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

HN7G01FU-A(T5L,F,T

库存数量：8550
制造商：Toshiba
描述：两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA
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制造商 Toshiba
配置 Dual
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO - 5 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min 300
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体
相关资料
属性
链接
代理商 HN7G01FU-A(T5L,F,T
HN7G01FU-A(TE85L,F
HN7G02FE
HN7G02FE(TE85L,F)
HN7G02FU
HN7G02FU(TE85L,F)
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  • HN7G01FU-A(T5L,F,T 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.1242 0.1242
    10 0.0966 0.966
    100 0.0828 8.280001
    250 0.076 19